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128TB の SDカード

SD card standard.png

SDカードの容量が128TBまで拡大しました。

SD Associationが発表 したSDカードの新仕様SD Expressで、SDカードの最大容量が、従来の2TBから128TB に拡大されました。

大容量化に合わせて、インタフェース速度も985MB/秒にアップしました。

だだし、インタフェースはUHS-Ⅱ、Ⅲをサポートせず、UHS-I(104MB/秒)とPCIe 上のNVMe に変わっています。

下位互換はあるので、UHS-Ⅱ、ⅢのスロットにSD Expressカードを挿せばUHS-Iの速度104MB/秒で動作します。

  • UHS-I  104MB/秒
  • UHS-II  312MB/秒
  • UHS-III 624MB/秒
  • NVNe   985MB/秒

985Mバイト/秒は、PCIe 3.0(Gen 3)1レーンの速度です。

PCIe3.0 4レーンだと4GBsになりますが、SD Expressは1レーンまでです。

SD ExpressはSD7.0仕様に規定されます

サイズ・ピン

SD Expressになってもサイズの変更はありません。

ピンの配置も変わりません。

SDカードのピン

ピンの数と物理配置は、UHS-Ⅱ対応カードと同じで、17ピンです

PCIe 3.0での伝送のために、UHS-Ⅱ、Ⅲ対応を放棄して、UHS-Ⅱ、Ⅲでの低電圧差動信号(LVDS)伝送用の第2ロウ端子を、PCIe 3.0用に使用します。

PCIe 3.0 とNVMe v1.3をサポートします。

NVMe:Non-Volatile Memory Express は、 PCIe:Peripheral Component Interconnect Express を使って、不揮発性ストレージメディアを接続するための論理デバイスインターフェースの規格です

SSD用インタフェースとして、普及しているインタフェースです。

M2.SSDとSDの比較

Snapdragon 632 発表

Snapdragon 632, 439 , 429をQualcommが発表しました

  • Snapdragon 632は、ミッドレンジスマホ用 下り最大300Mbps
  • Snapdragon 439は、低価格帯スマホ用   下り最大150Mbps
  • Snapdragon 429はウエアラブル端末用  下り最大150Mbps

Snapdragon 632の特徴

サムスンから8TBのSSD

8TBのSSDをSamsungが発表しました

大きさは、8TBで11cm x 3.05cm 

サーバーラック;2U分のスペースに576TB のストレージを収めることができる密度です。


NVMe 1.3 プロトコルとPCIe 4.0対応で、速度もアップしています。

SnapdragonにeSIM 組み込み

Snapdragon with eSIM.png

Snapdragon に eSIMを統合するために、Qualcommと提携したとGemalto が発表しています。

Gemalto eSIM技術とリモートサブスクリプション管理ソリューションを、Snapdragonの Secure Processing Unit (SPU) へ統合するために、Gemaltoが支援するそうです

eSIMを組み込んだSnapdragonを搭載したAlways Connected PCが2019年にリリースされることを見込んでいるとのこと

発熱の問題を置き去りにしたマルチコア化が進行しています。

IntelがIntel 28コア・56 スレッドCPU 年内発売、AMD 32コア・64 スレッドの「Ryzen Threadripper」を2018年第3四半期に発売します。

「Ryzen Threadripper」のTDP:設計上想定される最大放熱量は250ワットです。

16コア・32スレッドのThreadripperのTDP180ワットに比べ39%アップです。

発熱量は年平気7%程度上昇しています。

TDP trend.png

モバイル端末では、デスクトップのように大型ヒートシンクやファンの採用が困難ですので、発熱量がモバイル用チップの性能を制約する状況になっています

スマホの裏に装着する排熱ファンをオプションパーツとして用意したスマホAsus ROG phoneも発表されましたが、発熱対策なくしてモバイル端末の性能向上が望めない状況になっています。

発熱量が増える背景

ARM Cortex-A76

iPhone and SoC.pngARMが新アーキテクチャCortex-A76発表しました。

Cortex-A75より35%高速だそうですので、Cortex-A75ベースの今のハイエンドSoC Snapdragon 845より3割高速のSoCが来年のスマホに搭載されることになりそうです。
処理能力が2年で2倍になる勢いです。

Apple のA9, A10, A11プロセッサは2年で3倍になっています(2015 年9月発売のiPhone 6sに比べ2017年11月のiPhone 8/Xの処理能力は3倍になっています)。

ARM Cortex-A76のハイライト

スマホ搭載カメラの多眼化

スマホ搭載のカメラが多眼化しています。

レンズ2セットのデュアルレンズは多数あり、レンズ3セット搭載のHuawei P20 Pro、4セット搭載のASUS Zenfone 5Qと、搭載レンズ数は増えて、マルチレンズ化が加速しています。

マルチレンズ化の効果は大別すると3つです。

  • 画角の切替
  • 感度向上
  • ワイドアパーチャー

全ての機能を持つためには、3セット以上のレンズが必要になります。

感度向上

0.5インチUXGAディスプレイ

ECX339A OLED Microdisplay.pngマイクロ・ディスプレイをSONYが発表しました。

0.5インチの超小型で1600 x 1200の解像度の有機ELマイクロディスプレイで、1画素の大きさは 6.3μm 。

458dpiのiPhone Xのディスプレイは1画素は55.5μm。
その約9分の1の細かさです。

動作も速く240 fps。

デジタル一眼レフカメラのファインダー用、VRのヘッドマウントディスプレイなどの用途が想定されています。

P20 Proの4000万画素カメラ

カメラの画素数比較

P20 Proのカメラと一眼レフカメラを比較してみました。

Huawei P20 Proのカメラの画素数4000万は、高級一眼レフカメラ並みの画素数です。


解像度 Huawei P20 Proのメラの画素数4000万は、スマホのカメラとしてはは断トツの数値です。(右上)。

2300万画素以上の一眼レフの世界ですが、その中でも上位に入ります。おそらく、トップ5に入れる解像度です。

4000万画素未満の一眼レフカメラも多数あります。

センサーサイズの限界

モバイルバッテリーにPSEマークの取得と表示が義務化されました(経済産業省の説明資料)。

先月までは、モバイルバッテリーは、機器に装着されたリチウムイオン蓄電池見なされ規制の対象外でした。

2月1日からは、裸のリチウムイオン電池と同様にPSEマークの取得と表示が義務がある規制対象製品になりました。

PSEマークの無いモバイルバッテリーを製造または、輸入ないし、販売すると「電気用品安全法」違反で1年以下の懲役または100万円以下の罰金になります。

PSEマーク適合基準

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